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Company Name : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Monday, January 29, 2018 6:30PM IST (1:00PM GMT)

तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाईसेस एवं स्टोरेज कॉर्पोरेशन ने स्‍मार्टफोन के लिए लो-नॉइज आरएफ एम्‍प्‍लीफायर हेतु लो नॉइज फिगर के साथ एसओआइ प्रक्रिया की पेशकश की


TOKYO, Japan

तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन  ने “टीएआरएफ10” को विकसित करने की घोषणा की है। यह अगली पीढ़ी की टीएआरएफ एसओआइTM (तोशिबा एडवांस्‍ड आरएफ एसओआइ[1]) प्रक्रिया है जिसे स्‍मार्टफोन अनुप्रयोगों में लो-नॉइज एम्‍प्‍लीफायर्स (एलएनएज) के लिए इष्‍टतम किया गया है।

इस प्रेस विज्ञप्ति में मल्‍टीमीडिया की सुविधा है। पूरी विज्ञप्ति यहां देखें: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/ 

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  • ToshibaToshiba Electronic Devices & Storage Corp.: Appearance of LNA fabricated with TaRF10 (Photo: Business Wire)
 
तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाईसेस एवं स्टोरेज कॉर्पोरेशनः टीएआरएफ10 के साथ फैब्रिकेट किये गये एलएनए का अपीयरेंस (फोटो: बिजनेस वायर)

हालिया वर्षों में, मोबाइल डेटा संचार की लगातार बढ़ रही स्‍पीड ने मोबाइल डिवाइसेस के एनालॉग मोर्चे पर आरएफ स्विचेज एवं फिल्‍टर्स के इस्‍तेमाल को बढ़ाया है। एंटीना एवं रिसीवर सर्किट के बीच सिग्‍नल लॉस में हुई परिणामस्‍वरूप बढ़ोतरी ने रिसीवर संवेदनशीलता को डिग्रेड किया है, और लो नॉइज फिगर[2]  (एनएफ) के साथ एलएनए पर ध्‍यान केंद्रित किया है। यह सिग्‍नल लॉस की क्षतिपूर्ति करने और प्राप्‍त सिग्‍नल की अखंडता बेहतर बनाने के साधन के तौर पर किया गया है।

तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाईसेस एवं स्टोरेज कॉर्पोरेशन ने 1.8 गीगाहर्ट्ज की फ्रीक्‍वेंसी पर 0.72डीबी के बेहतरीन नॉइज आंकड़ेऔर 16.9 डीबी के गेन[3]  के साथ प्रोटोटाईप एलएनए का विकास करने के लिए अपनी नई टीएआरएफ10 प्रक्रिया का इस्‍तेमाल किया है।

मोबाइल उपकरण रिसीवर सर्किट में अनेक आरएफ स्विचेज एवं एलएनए का इस्‍तेमाल करते हैं और बोर्ड एरिया के उपयोग में कमी लाने के लिए सर्किट आकार को कम करने की जरूरत पैदा करते हैं। मौजूदा एलएनए आमतौर पर सिलिकॉन-जर्मेनियम-कार्बन(एसआइजीई : सी) बाइपोलर ट्रांजिस्‍टर्स का प्रयोग करते हैं, और उसी चिप पर अलग-अलग प्रक्रियाओं के साथ फैब्रिकेटेड एलएनए एवं आरएफ स्विचेज को एकीकृत करना कठिन हो जाता है।

नई टीएआरएफ10 प्रक्रिया एलएनए,कंट्रोल सर्किट और आरएफ स्विचेज को एक अकेली चिप पर एकीकृत कर सकती है, क्‍योंकि यह आरएफ स्विचेज के लिए टीएआरएफ8 एवं टीएआरएफ9 प्रक्रियाओं के अनुकूल है। यह आरएफ के बेहतरीन गुणों को सुरक्षित करती है। टीएआरएफ 9 में टीएआरएफ8 की तुलना में इंसर्शन लॉस कम होता है। साथ ही सिग्‍नल में भी कम बाधा आती है। तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाईसेस एवं स्टोरेज ने अब बाजार में आरएफ स्विचेज के साथ एकीकृत एनलएनएज लाने की योजना बनाई है। 

तोशिबा इलेक्ट्रॉनिक डिवाईसेस एवं स्टोरेज ने नवीनतम एसओआइ-सीएमओएस तकनीक लागू करने के लिए अपनी अनुषंगी जापान सेमिकंडक्‍टर कॉर्पोरेशन का उपयोग कर आरएफ आइसी का विकास किया है। साथ ही उत्‍पादन प्रवाह के सभी पहलुओं, आरएफ प्रक्रिया तकनीकी विकास से लेकर डिजाइन एवं उत्‍पादन तक सभी को संभालकर, एक बेहतरीन उत्‍पाद पेशकश की है।

5जी स्‍मार्टफोन के लिए अगली-पीढ़ी की बाजार जरूरतों को पूरा करने के लिए, कंपनी टीएआरएफएसओआइ TM प्रक्रिया को और बेहतर बनाना जारी रखेगी और अत्‍याधुनिक तकनीक के साथ आरएफ आइसी विकसित करेगी।
 
तालिका 1. एलएनए की मुख्‍य खूबियां
    मोड   टीएआरएफ10 प्रक्रिया को लागू करने वाला एलएनए   इकाई
चिप का आकार   -   0.70×0.43   Mm
फ्रीक्‍वेंसी     -   1.8   GHz
सप्‍लाई वोल्‍टेज   -   1.8   V
सप्‍लाई करेंट   गेन मोड   7.4   mA
  बायपास मोड   50   μA
कंट्रोल वोल्‍टेज   गेन मोड   1.8   V
  बायपास मोड   0   V
गेन    गेन मोड   16.9   dB
  बायपास मोड   -1.6   dB
एनएफ     गेन मोड   0.72   dB
रिटर्न लॉस (इन)   गेन मोड   8.4   dB
रिटर्न लॉस (आउट)   गेन मोड   12.1   dB
रिवर्स आइसोलेशन   गेन मोड   26.5   dB
आइपी1डीबी   गेन मोड   -8.9   dBm
आइआइआइपी3   गेन मोड   4.3   dBm
 
ध्‍यानार्थ :
[1] टीएआरएफएसओआइ TM  (तोशिबा एडवांस्‍ड आरएफ एसओआइ) : तोशिबा का अनोखा एसओआइ-सीएमओएस (सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर-काम्‍प्‍लीमेंटरी मेटल ऑक्‍साइड सेमीकंडक्‍टर) फ्रंट-एंड प्रक्रिया
[2] नॉइज फिगर :इनपुट के साथ आउटपुट पर सिग्‍नल-टु-नॉइज रेशियो का रेशियो। नॉइज फिगर जितना कम होगा,एम्‍प्‍लीफायर का नॉइज भी उतना कम होगा और इस तरह यह बेहतर होगा।
 [3] गेन : एम्‍प्‍लीफायर के आउटपुट पावर का डीबी में इसके इनपुट पावर से रेशियो
* यहां दिये गये अन्‍य सभी कंपनी नाम, उत्‍पाद नाम और सर्विस नाम अपनी संबंधित कंपनियों के ट्रेडमार्क्‍स हो सकते हैं .

ग्राहक संबंधी पूछताछ:
स्‍मॉल सिग्‍नल डिवाइस विक्रय एवं विपणन विभाग
टेलीफोन: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* इस दस्‍तावेज में दी गई जानकारी, उत्‍पाद की कीमतों एवं विशिष्‍टताओं सहित, सेवाओं की विषय-वस्‍तु एवं संपर्क जानकारी घोषणा के तिथि के दिन की हैं लेकिन इनमें बिना किसी पूर्व सूचना के बदलाव किया जा सकता है।

तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन के विषय में
तोशिबा इलेक्‍ट्रॉनिक डिवाइसेस एंड स्‍टोरेज कॉर्पोरेशन (टीडीएससी) में नई कंपनी के जोश  को अनुभव के चातुर्य के साथ संयोजित किया गया है। जुलाई 2017 में तोशिबा कॉर्पोरेशन से अलग होने के बाद, हमने अग्रणी सामान्‍य उपकरण कंपनियों के बीच अपनी जगह बनाई है। हम ग्राहकों एवं व्‍यावसायिक साझीदारों को भिन्‍न सेमीकंडक्‍टर्स, सिस्‍टम एलएसआइ और एचडीडी में बेहतरीन समाधान प्रदान करते हैं।

दुनिया भर में हमारे 19,000 कर्मचारी हमारे उत्‍पादों का मूल्‍य बढ़ाने के लिए दृढ़ संकल्‍प को साझा करते हैं और मूल्‍य एवं नये बाजारों के सह-निर्माण को बढ़ावा देनेके लिए ग्राहकों के साथ करीबी सहयोग पर जोर देते हैं। हम वार्षिक बिक्री को अब 700 बिलियन  येन (6 बिलियन अमेरिकी डॉलर) पहुंचाने के लिए तत्‍पर हैं। हम हर कहीं लोगों के लिए बेहतर भविष्‍य में योगदान करेंगे।

हमारे बारे में अधिक जानकारी के लिए देखें – https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

businesswire.com पर सोर्स विवरण देखें: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/
 
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घोषणा (अस्वीकरण): इस घोषणा की मूलस्रोत भाषा का यह आधिकारिक, अधिकृत रूपांतर है। अनुवाद सिर्फ सुविधा के लिए मुहैया कराए जाते हैं और उनका स्रोत भाषा के आलेख से संदर्भ लिया जा सकता है और यह आलेख का एकमात्र रूप है जिसका कानूनी प्रभाव हो सकता है।


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